一般財団法人 電力中央研究所
高抵抗SiC※17結晶を用いた高出 力光導電半導体スイッチ※18の基 礎研究 — Track: Type S. PI: 土田 秀一. 本研究では、優れた材料特性を有する高抵抗SiC結晶を用いた 光導電半導体スイッチについて、高出力化を実現するための結 晶材料合成およびデバイス形成の研究を行い、ナノ秒レベルの 立ち上がり時間の高電圧パルス※19を出力する電源の小型モデ ルを作製し、性能を検証する。