国立研究開発法人 物質・材料研究機構
縦型GaN on Si デバイス実現に 向けた界面制御の基礎研究 — Track: Type S. PI: 川村 史朗. 省電力社会実現に向けてGaNパワー半導体※46は鍵を握る材料 である。しかし、実用化済みの横型トランジスタは出力制限が大 きく、GaN基板※47上に開発が進んでいる縦型トランジスタはコス トが非常に高い。本研究では、Siウェハ※48上に縦型GaNトランジ スタ用テンプレートを開発する。