産業技術総合研究所
革新的SiCヘテロ接合技術を 使った高周波デバイスの基礎 研究 — Track: Type S. PI: 佐沢 洋幸. 本研究では、次世代高速通信用のSiC-HEMT※６の基礎研究につ いて、3C-SiC/4H-SiCヘテロ接合技術をベースとし、チャネルの 2次元電子ガスの特性を支配する因子を原子レベルで解明すると ともに、大口径ウエハーへの技術展開を検討し、SiC-HEMTが 動作することを実証することを目指します。